发明名称 一种A1掺杂ZnO透明导电微/纳米线阵列膜及其制备方法
摘要 本发明所提供的一种Al掺杂ZnO透明导电微/纳米线阵列膜及其制备方法,该阵列膜具有优良的导电性和可见光透明性,同时具有微/纳米线阵列膜的绒面陷光效应。
申请公布号 CN103413842B 申请公布日期 2016.05.04
申请号 CN201310289805.8 申请日期 2013.07.11
申请人 长沙理工大学 发明人 陈建林;陈荐;郭辰熹;胡琳琳;唐植懿
分类号 H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0232(2014.01)I;H01L31/02(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L21/208(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 H01L31/0224(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种Al掺杂ZnO透明导电微/纳米线阵列膜的生长方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:(1)准备材料:透明导电玻璃、六水合硝酸锌、九水合硝酸铝、去离子水;(2)配制溶液:按比例称量六水合硝酸锌和九水合硝酸铝为溶质,以去离子水为溶剂,配制硝酸锌与硝酸铝混合溶液;(3)阵列膜的制备:以硝酸锌和硝酸铝混合水溶液为电沉积溶液,白金钛网或铂为阳极,透明导电膜玻璃为阴极,接通电源,在透明导电膜玻璃上电沉积法生长一层Al掺杂ZnO透明导电微/纳米线阵列膜;(4)热处理:在空气气氛下,约530℃,保温1h,随炉降温;真空条件下或N<sub>2</sub>+H<sub>2</sub>气氛下的热处理,约450℃,保温0.5~1h,随炉降温。
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