发明名称 像素电极的图案形成方法和形成系统
摘要 本发明提供一种像素电极的图案形成方法和形成系统,在制造IPS方式、FFS方式的液晶驱动方式等的液晶显示装置时,即使使用分辨率低的现有的通常的曝光装置,也能够进一步实现像素电极的窄间距化。在玻璃基板(G)上形成像素电极的图案的方法,在玻璃基板(G)上的像素电极层(1)的上表面,在成为上述图案的第一间隙部的部分形成抗蚀剂(2),然后形成牺牲膜,接着以保留残置牺牲膜(3a)、(3b)的方式去除牺牲膜,在像素电极层(1)的上表面形成上述图案的第二间隙部(S2)。然后去除抗蚀剂(2),形成上述图案的第二间隙部,接着,在上述第一间隙部、第二间隙部的侧方形成接触部的抗蚀剂,然后去除第一间隙部、第二间隙部的像素电极层。
申请公布号 CN105549277A 申请公布日期 2016.05.04
申请号 CN201510697063.1 申请日期 2015.10.23
申请人 东京毅力科创株式会社 发明人 藤田直纪;石田宽;八寻俊一;池田文彦
分类号 G02F1/1343(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G03F1/56(2012.01)I 主分类号 G02F1/1343(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人 龙淳;李炬
主权项 一种像素电极的图案形成方法,用于在基板上形成像素电极的图案,其特征在于:在基板上的像素电极层的上表面,在成为所述图案的第一间隙部的部分形成抗蚀剂,然后在形成有所述抗蚀剂的像素电极层上形成牺牲膜,然后以保留所述抗蚀剂的侧部的残置牺牲膜的方式去除所述牺牲膜,在像素电极层的上表面形成所述图案的第二间隙部,然后去除所述抗蚀剂,形成所述图案的第二间隙部,然后在所述第一间隙部、第二间隙部的侧方形成接触部的抗蚀剂,然后去除所述第一间隙部、第二间隙部的像素电极层。
地址 日本东京都