发明名称 |
用于薄膜压力传感器的应变薄膜及其制备方法、薄膜压力传感器芯体 |
摘要 |
发明公开了一种用于薄膜压力传感器的应变薄膜及其制备方法、薄膜压力传感器芯体。该应变薄膜为氮化钽薄膜;该制备方法包括:(1)采用离子束溅射沉积方法轰击氮化钽靶,在薄膜传感器所需弹性基底上沉积氮化钽薄膜预备层;(2)进行退火处理,得到用于薄膜压力传感器的应变薄膜。薄膜压力传感器芯体包括依次设于弹性基底之上的缓冲层、绝缘层和氮化钽薄膜电阻层。本发明的用于薄膜压力传感器的应变薄膜及制备方法所制备的应变薄膜具有高应变因子、低电阻温度系数、良好电导率的优点,薄膜压力传感器芯体具有高灵敏度、在恶劣环境下具有高可靠性的优点。 |
申请公布号 |
CN105547535A |
申请公布日期 |
2016.05.04 |
申请号 |
CN201510912733.7 |
申请日期 |
2015.12.11 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
发明人 |
周国方;景涛;何峰;龚星 |
分类号 |
G01L1/22(2006.01)I |
主分类号 |
G01L1/22(2006.01)I |
代理机构 |
湖南兆弘专利事务所 43008 |
代理人 |
周长清 |
主权项 |
一种用于薄膜压力传感器的应变薄膜,其特征在于,所述用于薄膜压力传感器的应变薄膜为氮化钽薄膜。 |
地址 |
410111 湖南省长沙市天心区新开铺路1025号 |