发明名称 嵌入式封装及其制造方法、包含其的电子系统及存储卡
摘要 本发明揭示一种嵌入式封装,其包含:一芯片,其具有上面安置有一连接部件的一顶部表面;一第一绝缘层,其环绕该芯片的一部分;一第二绝缘层,其安置于该第一绝缘层上以覆盖该芯片;电路图案,其安置于该第一绝缘层的一底部表面上;一第三绝缘层,其安置于该第一绝缘层的该底部表面上以覆盖该电路图案;一外部连接端子,其穿透该第三绝缘层以接触该电路图案中的任一个;一金属层,其安置于该第二绝缘层的一顶部表面上;一第一导通体,其穿透该第一绝缘层以将该连接部件电耦合至该电路图案中的任一个;及一第二导通体,其穿透该第一绝缘层及该第二绝缘层以将该金属层电耦合至该电路图案中的任一个。
申请公布号 CN105552052A 申请公布日期 2016.05.04
申请号 CN201510409667.1 申请日期 2015.07.13
申请人 爱思开海力士有限公司 发明人 尹祥熏;文起一;金明燮;宋玧美
分类号 H01L23/485(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I 主分类号 H01L23/485(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 邱军
主权项 一种嵌入式封装,其包括:芯片,其具有上面安置有连接部件的顶部表面;第一绝缘层,其环绕该芯片的一部分;第二绝缘层,其安置于该第一绝缘层上使得该第二绝缘层的底部表面接触该第一绝缘层的顶部表面且该第二绝缘层覆盖该芯片;多个电路图案,其安置于该第一绝缘层的底部表面上;第三绝缘层,其安置于该第一绝缘层的该底部表面上以覆盖该多个电路图案;外部连接端子,其穿透该第三绝缘层以接触该多个电路图案中的任一个;金属层,其安置于该第二绝缘层的顶部表面上;第一导通体,其穿透该第一绝缘层以将该连接部件电耦合至该电路图案中的任一个;及第二导通体,其穿透该第一绝缘层及该第二绝缘层以将该金属层电耦合至该电路图案中的任一个。
地址 韩国京畿道