Integrierte Schaltung mit zusammenpassenden Schwellenspannungen und Verfahren zur Herstellung derselben

摘要

Eine integrierte Schaltung mit einem Substrat, einer über dem Substrat gebildeten Pufferschicht, einem über der Pufferschicht gebildeten barrier layer (Grenzschicht), und einem Isolationsbereich, der eine Anreicherungsmode-Komponente von einer Verarmungsmode-Komponente isoliert. Die integrierte Schaltung umfasst weiterhin einen ersten Gate-Kontakt für die Anreicherungsmode-Komponente, welcher in einer Gate-Kontaktaussparung angeordnet ist, und einen zweiten Gate-Kontakt für die Verarmungsmode-Komponente, welcher in einer zweiten Gate-Kontaktaussparung angeordnet ist.