半导体器件的制造方法

摘要

在半导体晶片（1）的周边形成无效芯片（22），在由无效芯片包围的区域中形成有效芯片（21），在有效芯片和无效芯片上形成表面电极，且在限定有效芯片和无效芯片的切割线（23）上设置绝缘膜（7）。形成具有从半导体晶片的外周端部起算的一预定宽度的聚酰亚胺（26），所述聚酰亚胺覆盖半导体晶片的外周部，从而聚酰亚胺从半导体晶片的外周端部向内连续地覆盖无效芯片、并且聚酰亚胺还连续地覆盖位于夹在无效芯片之间的切割线上且相对于有效芯片位于与半导体芯片的外周端部相距一预定距离处的部分。在有效芯片上形成的表面电极涂敷有金属膜，并且使用刀片沿着切割线将半导体晶片切分成半导体芯片。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体晶片的第一主表面的周边形成无效芯片；在由所述无效芯片包围的区域中形成有效芯片；在所述有效芯片和所述无效芯片上形成前电极；在分割所述有效芯片和所述无效芯片的切割线上设置绝缘膜；在所述半导体晶片的第二主表面上形成后电极；按照以下方式形成聚酰亚胺：即，从所述半导体晶片的外周端部起以一预定宽度覆盖所述半导体晶片的所述第一主表面的外周部，以使得从所述半导体晶片的外周端部起向内连续地覆盖所述无效芯片，并且在所述无效芯片之间的切割线上，从所述半导体芯片的外周端起连续覆盖到与所述有效芯片相距预定距离的部分为止；使用镀覆在形成于所述有效芯片上的前电极上形成金属膜；以及使用刀片沿着所述切割线将所述半导体晶片切割成半导体芯片。