发明名称 采用禁止电子跨越禁带跃迁的方法制造超导
摘要 采用禁止电子跨越禁带跃迁的方法制造超导。也包括用同样的方法制造导体,使导体电阻减小。本发明的背景技术直接源自1911年荷兰莱顿大学的H·卡茂林·昂内斯的发现:将汞冷却到-268.98℃时,汞的电阻突然消失。1957年,巴丁、库珀和施里弗提出BCS理论,用于解释超导微观机理。从此,根据BCS理论做出实践就成为了制造超导材料的方法,但不是唯一的方法。在导体理论解释电阻时,常以金属为例一语带过:自由电子与晶格碰撞,将能量传递到晶格,即转变成热。我们以铜导体为例做出说明,直接认为导体理论已经回答了超导的原因。相反的,对于为什么导体会产生电阻的回答仍不足。载流子必须从导带回到价带才能把能量传递给晶格。在做出此番解释之后,发明了减少电阻和制造超导的方法。
申请公布号 CN105552207A 申请公布日期 2016.05.04
申请号 CN201610047751.8 申请日期 2016.01.25
申请人 吴翔 发明人 吴翔
分类号 H01L39/24(2006.01)I 主分类号 H01L39/24(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种制造导体或超导体的方法,其特征在于减少或禁止电子跨越禁带跃迁,同义的,减少或禁止电子在价带和导带转变跃迁。
地址 102206 北京市昌平区回龙观镇史各庄村46号
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