发明名称 |
半导体处理反应器及其零件 |
摘要 |
反应器,具有围出一气体运送系统的外壳,此气体运送系统操作性地连接至一反应室及一排气组件,气体运送系统包括多数气体管线,用以供应至少一处理气体至反应室;气体运送系统另外包括用以容纳至少一处理气体的一混合器,此混合器操作性地连接到用于扩散该处理气体的一扩散器,扩散器直接装附于反应室的上表面,以便在二者之间形成一扩散器容积;扩散器包括至少一分配表面,用以在处理气体通过扩散容积且被引进到反应室内之前对处理气体产生流动限制;反应室界定出一反应空间,用以容纳待处理的半导体基底;排气组件操作性地连接到反应室,用以从反应空间中抽出尚未反应的处理气体与流出物。
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申请公布号 |
TWI531675 |
申请公布日期 |
2016.05.01 |
申请号 |
TW099110511 |
申请日期 |
2010.04.06 |
申请人 |
ASM美国公司 |
发明人 |
哈尔平 麦可;马瑞司 丹;席罗 艾瑞克;特豪斯特 赫伯特;佛吉斯 摩希兹;怀特 卡尔 |
分类号 |
C23C16/455(2006.01);C23C16/54(2006.01) |
主分类号 |
C23C16/455(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
桂齐恒;阎启泰 |
主权项 |
一种扩散器,用于分配至少一处理气体,该扩散器包含:一入口部,具有贯穿形成的一通槽,用以容纳该至少一处理气体;以及一分配部,装附至该入口部,该分配部包含:一安装表面、一第一分配表面、一第二分配表面、一第三分配表面及一第四分配表面,其中该第一分配表面、该第二分配表面、该第三分配表面及该第四分配表面系侧向延伸于一第一侧表面及一第二侧表面之间,且其中该第一侧表面及该第二侧表面系延伸于该第一分配表面、该第二分配表面、该第三分配表面、该第四分配表面及该安装表面之间。
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地址 |
美国 |