具解离缓冲层之电阻式记忆体构造及其制造方法

摘要

电阻式记忆体构造包含一基板、一绝缘层、一下导电层、一电阻层、一解离缓冲层及一上导电层。该电阻式记忆体制造方法包含：提供该基板；形成该绝缘层于该基板上；形成该下导电层于该绝缘层上；形成该电阻层于该下导电层上；形成该解离缓冲层于该电阻层上；形成该上导电层于该解离缓冲层上，以形成一记忆元件，且该解离缓冲层形成于该电阻层及上导电层之间。由于该解离缓冲层在无水气环境下易解离金属离子，因此该记忆元件之操作特性在无水气环境中形成稳定。

主权项

一种电阻式记忆体构造，其包含：一基板；一绝缘层，其设置于该基板上；一下导电层，其设置于该绝缘层上；一电阻层，其设置于该下导电层上；至少一解离缓冲层，其设置于该电阻层上，且该解离缓冲层在无水气环境下易解离金属离子；及一上导电层，其设置于该解离缓冲层上，以形成一记忆元件，且该解离缓冲层形成于该电阻层及上导电层之间；其中由于该解离缓冲层在无水气环境下易解离金属离子，因此该记忆元件之操作特性在无水气环境中形成稳定。