| 发明名称 |
蚀刻剂组成物及使用其制造半导体装置的方法 |
| 摘要 |
明涉及一种用于氮化物层的蚀刻剂组成物及使用其制造半导体装置的方法。以所述蚀刻剂组成物的总重量计，所述蚀刻剂组成物包含：约80重量%至约90重量%的量的磷酸、约0.02重量%至约0.1重量%的量的矽-氟化合物、以及其余爲水。所述矽-氟化合物包含矽原子与氟原子之间的键结（Si-F键结）。可利用所述蚀刻剂组成物来实现相对于氧化物层的氮化物层的例如大于约200的高蚀刻选择性。 |
| 申请公布号 |
TW201615804 |
申请公布日期 |
2016.05.01 |
| 申请号 |
TW104121967 |
申请日期 |
2015.07.07 |
| 申请人 |
拉姆科技有限公司 |
发明人 |
吉埈仍;房哲源;金学默;张涌守;沈金噽 |
| 分类号 |
C09K13/04(2006.01);H01L21/306(2006.01);H01L21/76(2006.01) |
主分类号 |
C09K13/04(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
叶璟宗;郑婷文;詹富闵 |
| 主权项 |
一种用于氮化物层的蚀刻剂组成物，包含： 以所述蚀刻剂组成物的总重量计，约80重量%至约90重量%的量的磷酸； 以所述蚀刻剂组成物的总重量计，约0.02重量%至约0.1重量%的量的矽-氟化合物，所述矽-氟化合物包含Si-F键结；以及 其余爲水。 |
| 地址 |
南韩 |
