半导体装置

摘要

明提供一种半导体装置，包括：闸极电极；覆盖闸极电极并包含含有矽的氧化物的闸极绝缘膜；以与闸极绝缘膜接触并至少与闸极电极重叠的方式设置的氧化物半导体膜；以及与氧化物半导体膜连接的源极电极及汲极电极，其中，在氧化物半导体膜中的与闸极绝缘膜接触且厚度为5nm以下的第一区域中，矽浓度为1.0at.%以下，包含在氧化物半导体膜的第一区域之外的区域中的矽浓度比包含在第一区域中的矽浓度低，并且，至少在第一区域中包括结晶部。

主权项

一种半导体装置，包括：闸极电极；覆盖该闸极电极的闸极绝缘膜；以与该闸极绝缘膜接触并至少与该闸极电极重叠的方式设置的氧化物半导体膜；以与该氧化物半导体膜接触的方式设置的通道保护膜；以及设置在该通道保护膜之上并与该氧化物半导体膜电连接的源极电极及汲极电极，其中，该闸极绝缘膜包含矽及氧，该氧化物半导体膜包括与该闸极绝缘膜接触的第一区域，该第一区域中的矽的浓度为低于或等于1.0at.%，至少该第一区域包括结晶部，并且包含在该第一区域之外的该氧化物半导体膜的区域中的矽的浓度低于包含在该第一区域中的该矽的浓度。