| 发明名称 | 记忆装置的操作方法 | ||
| 摘要 | 提供记忆装置的操作方法。一种记忆装置的操作方法包括如下所述地写入记忆装置。首先，提供资料。这些资料包括复数编码。计算所述编码各自的数目。接着，根据所述编码各自的数目数目产生一对映规则。在对映规则中，所述编码各对映至依序由低至高排列的复数验证电压准位的其中一者。之后，根据对映规则写入资料至记忆装置中。 | ||
| 申请公布号 | TW201616506 | 申请公布日期 | 2016.05.01 |
| 申请号 | TW103137130 | 申请日期 | 2014.10.28 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 张育铭;李永骏;谢志昌;黄识夫;李祥邦;张原豪;郭大维 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01);G11C11/56(2006.01) | 主分类号 | G11C16/10(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 祁明辉;林素华 | |
| 主权项 | 【第1项】一种记忆装置的操作方法，包括：写入一记忆装置，包括：提供复数资料至一控制器，该些资料包括复数编码(code)；由该控制器计算该些编码各自的数目；根据该些编码各自的数目由该控制器产生一对映规则(mapping rule)，其中，在该对映规则中，该些编码各对映至依序由低至高排列的复数验证电压准位(verifying voltage level)的其中一者；以及根据该对映规则写入该些资料至该记忆装置的一记忆体阵列中。 | ||
| 地址 | 新竹县科学工业园区力行路16号 | ||