| 发明名称 |
堆叠式半导体记忆体装置、包括其之记忆体系统及修复直通矽穿孔缺陷之方法 |
| 摘要 |
本发明概念之一种堆叠式半导体记忆体装置可包括：复数个记忆体晶片，其堆叠于一处理器晶片上方；复数个TSV；及I/O缓冲器。该等TSV可穿过该等记忆体晶片，且连接至该处理器晶片。I/O缓冲器可耦接于该等记忆体晶片中之全部或部分与该等TSV中之全部或部分之间，且可基于该等TSV之缺陷状态而选择性地启动。 |
| 申请公布号 |
TWI532051 |
申请公布日期 |
2016.05.01 |
| 申请号 |
TW100115493 |
申请日期 |
2011.05.03 |
| 申请人 |
三星电子股份有限公司 |
发明人 |
吴台荣;朴光一;梁润硕;孙宁洙;金始弘;裵升浚 |
| 分类号 |
G11C5/02(2006.01);G11C5/06(2006.01);G11C7/10(2006.01) |
主分类号 |
G11C5/02(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
恽轶群;陈文郎 |
| 主权项 |
一种堆叠式半导体记忆体装置，其包含：复数个堆叠式记忆体晶片；复数个直通矽穿孔(TSV)，其穿过该等记忆体晶片；及复数个I/O缓冲器，每一I/O缓冲器耦接于该等记忆体晶片中之至少一者与该等TSV中之至少一者之间，该等I/O缓冲器经组态以基于该等TSV之缺陷状态而选择性地启动，其中该等I/O缓冲器经组态以使得当该等TSV中之至少一者包括一缺陷点时，启动位于该缺陷点下方之一记忆体晶片中所包括的一I/O缓冲器。
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| 地址 |
南韩 |
