形成金属矽化物互连奈米线结构的方法

摘要

形成一金属矽化物作为用于半导体应用的后端互连结构的奈米线的方法与设备系被提供。在一实施例中，该方法包括以下步骤：藉由一化学气相沉积制程或一物理气相沉积制程以形成一金属矽化物层于一基材上；在一制程腔室中热处理该金属矽化物层；当热处理该金属矽化物层时，施加一微波功率于该制程腔室中；及当热处理该金属矽化物层时，维持一基材温度于小于400℃。在另一实施例中，一种方法包括以下步骤：供应一沉积气体混合物于一基材的一表面上，该沉积气体混合物包括至少一含金属前驱物与一反应气体；在该沉积气体混合物的存在下，藉由暴露于微波功率形成一电浆；暴露该电浆于光辐射；及从该沉积气体形成一金属矽化物层于该基材上。

主权项

一种用以形成用于半导体元件的后端互连结构中的奈米线的方法，包含以下步骤：藉由一化学气相沉积制程或一物理气相沉积制程以形成一金属矽化物层于一基材上；在一制程腔室中热处理该金属矽化物层；当热处理该金属矽化物层时，施加一微波功率于该制程腔室中；及当热处理该金属矽化物层时，维持一基材温度于小于400℃。