Halbleiter-Prüfverfahren, Halbleiter-Prüfvorrichtung und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterelements

摘要

In einem eine Halbleiter-Prüfvorrichtung verwendenden Halbleiter-Prüfverfahren wird durch Auswählen einer auftreffenden Energie und eines negativen Potentials und Abtasten einer Prüfoberfläche eines Wafers mit Primärelektronen, um Sekundärelektronen zu erfassen, ein erstes Prüfbild erfasst und werden ein Makrofehler, Stapelfehler, eine Basisebenen-Versetzung und eine durchdringende Versetzung, welche im ersten Prüfbild enthalten sind, auf der Grundlage eines vorher festgelegten Schwellenwerts eines Signalbetrags der Sekundärelektronen durch eine Bildverarbeitung unterschieden. Überdies wird durch Auswählen der auftreffenden Energie und eines positiven Potentials und Abtasten der Prüfoberfläche des Wafers mit Primärelektronen, um die Sekundärelektronen zu erfassen, ein zweites Prüfbild erfasst und wird eine im zweiten Prüfbild enthaltene durchdringende Schraubenversetzung einer punktförmigen Form auf der Grundlage eines vorher festgelegten Schwellenwerts eines Signalbetrags der Sekundärelektronen durch eine Bildverarbeitung unterschieden.