双层隔离混合晶向积累型纳米线MOSFET

摘要

本发明提供的一种双层隔离混合晶向积累型纳米线MOSFET，包括依次形成在半导体衬底上的第一MOSFET、隔离介质层和第二MOSFET，所述第一源极区、第一漏极区和第二源极区、第二漏极区的杂质掺杂类型分别与第一MOSFET和第二MOSFET的沟道杂质的掺杂类型相同。本发明双层MOSFET完全独立进行工艺调试；具备较高的载流子迁移率；与常规MOSFET工作模式兼容，有利于电路设计；具有较高的器件集成密度；上层器件制备采用低温技术以及激光退火，可以有效避免影响下层器件性能。

主权项

一种双层隔离混合晶向积累型纳米线MOSFET，包括依次形成在半导体衬底上的第一MOSFET、隔离介质层和第二MOSFET；所述第一MOSFET包括第一源极区、第一漏极区、第一栅极区、横向贯穿于所述第一栅极区并设置在所述第一源极区与所述第一漏极区之间的第一半导体纳米线和环包设置在所述第一半导体纳米线外侧并介于第一半导体纳米线与第一栅极区之间的第一栅氧化层；所述第二MOSFET包括第二源极区、第二漏极区以及第二栅极区、横向贯穿于所述第二栅极区并设置在所述第二源极区与所述第二漏极区之间的第二半导体纳米线和环包设置在所述第二半导体纳米线外侧并介于所述第二半导体纳米线与所述第二栅极区之间的第二栅氧化层；其特征在于，所述第一源极区、第一漏极区和第二源极区、第二漏极区的杂质掺杂类型分别与第一MOSFET和第二MOSFET的沟道杂质的掺杂类型相同，所述第一源极区、第一漏极区和第二源极区、第二漏极区分别与第一MOSFET和第二MOSFET的沟道之间不存在PN结，所述第一MOSFET和第二MOSFET中的导电载流子为多数载流子；所述第一MOSFET为NMOSFET，所述第二MOSFET为PMOSFET，所述第一MOSFET的沟道材料为表面晶向为（100）的硅纳米线，所述第一MOSFET的沟道方向为<110>，所述第二MOSFET的沟道材料为表面晶向为（110）的硅纳米线，所述第二MOSFET的沟道方向为<110>，且所述第一半导体纳米线与所述第二半导体纳米线在空间上叠置，并具有圆形、横向跑道形或者纵向跑道型的截面结构。