半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，包含p型掺杂层、n型掺杂层及内部电性连接层，其电性耦合于p型掺杂层与n型掺杂层之间。在一个实施例中，内部电性连接层包含四族元素与氮元素，且四族元素与氮元素的原子数占上述内部电性连接层总原子数百分比的50%以上。在另一个实施例中，内部电性连接层包含碳元素，其掺杂浓度大于10¹⁷原子/立方厘米。在又一个实施例中，内部电性连接层的形成温度小于p型掺杂层的形成温度及n型掺杂层的形成温度。

主权项

一种半导体装置，包含：一个p型掺杂层；一个n型掺杂层；以及一个内部电性连接层，位于该p型掺杂层与该n型掺杂层之间，由此电性耦合所述p型掺杂层与所述n型掺杂层；其中，该内部电性连接层包含四族元素与氮元素，且该四族元素与该氮元素的原子数占所述内部电性连接层总原子数百分比的50％以上，其中所述内部电性连接层为缺陷诱导内部电性连接层，其中所述缺陷诱导内部电性连接层提供一个第一缺陷密度，所述缺陷诱导内部电性连接层的成长面具有一个第二缺陷密度，该第一缺陷密度为该第二缺陷密度的5倍以上，且所述缺陷诱导内部电性连接层的厚度小于或等于100纳米。