发明名称 用于开关电源的瞬态响应增强控制电路
摘要 本发明涉及开关电源技术。本发明公开了一种用于开关电源的瞬态响应增强控制电路,本发明的技术方案为,用于开关电源的瞬态响应增强控制电路,包括分频器模块、存储器模块、比较器模块;所述分频器模块与开关电源高端功率管的驱动信号连接,用于根据该驱动信号产生控制信号对所述存储器模块进行控制;所述存储器模块与反馈电流连接,在所述控制信号控制下对上一个周期反馈电流的最大值进行采集和存储;所述比较器模块与存储器模块连接,将反馈电压的瞬时值与所述最大值进行比较,当反馈电压的瞬时值大于最大值时,所述比较器模块输出信号翻转,关断开关电源高端功率管。本发明有效解决了开关电源由重载跳变为轻载时瞬态响应差的缺点。
申请公布号 CN103427636B 申请公布日期 2016.04.27
申请号 CN201310379638.6 申请日期 2013.08.27
申请人 电子科技大学 发明人 周泽坤;刘德尚;朱世鸿;许天辉;段茂平;黄建刚;石跃;明鑫;王卓;张波
分类号 H02M3/10(2006.01)I 主分类号 H02M3/10(2006.01)I
代理机构 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 代理人 李顺德
主权项 用于开关电源的瞬态响应增强控制电路,包括分频器模块、存储器模块、比较器模块;所述分频器模块与开关电源高端功率管的驱动信号连接,用于根据该驱动信号产生控制信号对所述存储器模块进行控制;所述存储器模块与反馈电流连接,在所述控制信号控制下对上一个周期反馈电流的最大值进行采集和存储;所述比较器模块与存储器模块连接,将反馈电压的瞬时值与所述最大值进行比较,当反馈电压的瞬时值大于最大值时,所述比较器模块输出信号翻转,关断开关电源高端功率管;其特征在于,所述存储器模块包括NMOS管:MN0、MN1,PMOS管:MP0~MP9,电容:CD2、CS,运算放大器:A0,电阻:R1、R2,反相器:INV4、INV5、INV6、INV7;PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP5、PMOS管MP6、PMOS管MP9的源端均与电源VDD相连接;PMOS管MP1的栅端与其漏端、PMOS管MP2的栅端以及PMOS管MP3的源端相连接;PMOS管MP3的栅端与其漏端、PMOS管MP4的栅端以及NMOS管MN1的漏端相连接;PMOS管MP2的漏端与PMOS管MP4的源端相连接;PMOS管MP4的漏端与PMOS管MP7的漏端、PMOS管MP0的源端、NMOS管MN0的漏端以及电阻R2的一端相连接;NMOS管MN1的栅端与运算放大器A0的输出端相连接,其源端与运算放大器A0的负向输入端以及电阻R1的一端相连接;运算放大器A0的正向输入端与基准电压VREF相连接;PMOS管MP6的栅端和漏端、PMOS管MP5的栅端以及PMOS管MP9的漏端均与PMOS管MP8的源端相连接;PMOS管MP8的栅端和漏端、PMOS管MP7的栅端均与反馈电流IS相连接;PMOS管MP5的漏端与PMOS管MP7的源端相连接;NMOS管MN0的栅端、反相器INV4的输入端均与控制信号CTRL相连接;PMOS管MP0的栅端、反相器INV5的输入端均与反相器INV4的输出端相连接;反相器INV6的输入端与反相器INV5的输出端相连接,反相器INV6的输出端与反相器INV7的输入端、电容CD2的一端相连接;反相器INV7的输出端与PMOS管MP9的栅端相连接;PMOS管MP0的漏端、NMOS管MN0的源端以及电容CS的一端均与输出信号VOHmax相连接;电阻R1、电阻R2和电容CD2、电容CS的另一端均与地电位VSS相连接。
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