METHOD FOR MANUFACTURING A LOW-NOISE PHOTODIODE

摘要

L'invention concerne un procédé de fabrication d'une photodiode (1) comprenant une couche utile (10) en un alliage semi-conducteur. La couche utile présente une valeur de bande interdite décroissante depuis sa face supérieure (108) vers sa face inférieure (109). Le procédé selon l'invention comprend une étape de réalisation d'une première région dopée (13) formant une jonction PN (15) avec une deuxième région dopée (14) de la couche utile, ladite réalisation d'une première région dopée comprenant :
- une première étape de dopage (103), de façon à réaliser une partie formant base (131 ; 231 ; 431; 531) ; et
- une deuxième étape de dopage (104), de façon à réaliser au moins une protubérance (132) faisant saillie depuis la partie formant base et en direction de la face inférieure (109). L'invention concerne également une photodiode pouvant être obtenue à l'aide d'un tel procédé.