| 发明名称 | 半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件及其形成方法。其中所述半导体器件的形成方法包括：提供绝缘体上硅，所述绝缘体上硅依次包括衬底、绝缘层和顶硅层；在所述顶硅层上形成栅极结构；在所述栅极结构两侧形成侧墙；在所述侧墙两侧的顶硅层上形成半导体层；向所述半导体层及所述半导体层下方的顶硅层注入离子，直至形成重掺杂区；在离子注入后，去除所述侧墙以暴露所述侧墙下方的顶硅层；对所述暴露的顶硅层和至少部分厚度的所述半导体层进行轻掺杂离子注入工艺；在所述轻掺杂离子注入工艺之后，进行退火工艺。所述形成方法形成的半导体器件性能提高。 | ||
| 申请公布号 | CN105529360A | 申请公布日期 | 2016.04.27 |
| 申请号 | CN201410522582.X | 申请日期 | 2014.09.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 陈勇 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 吴圳添;骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供绝缘体上硅，所述绝缘体上硅依次包括衬底、绝缘层和顶硅层；在所述顶硅层上形成栅极结构；在所述栅极结构两侧形成侧墙；在所述侧墙两侧的顶硅层上形成半导体层；向所述半导体层及所述半导体层下方的顶硅层注入离子，直至形成重掺杂区；在离子注入后，去除所述侧墙以暴露所述侧墙下方的顶硅层；对所述暴露的顶硅层和至少部分厚度的所述半导体层进行轻掺杂离子注入工艺；在所述轻掺杂离子注入工艺之后，进行退火工艺。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||