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Die Erfindung betrifft ein Sensorpixel (106) zum Detektieren von Infrarotstrahlung (102), wobei das Sensorpixel (106) eine Absorberfläche (110) zum Absorbieren der Infrarotstrahlung (102) und einen an die Absorberfläche (110) thermisch gekoppelten Feldeffekttransistor (112) mit hoher Elektronenmobilität zum Erfassen einer Temperatur der Absorberfläche (110) aufweist. |
