发明名称 |
偏光元件及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种光学偏光元件及其制备方法。该偏光元件包括一支撑体和一由支撑体支撑的偏光膜,其中,该偏光膜为至少一碳纳米管薄膜,该至少一中碳纳米管均沿同一方向定向排列。本发明还涉及该偏光元件的制备方法,其包括以下步骤:提供一支撑体;提供至少一层碳纳米管薄膜,该碳纳米管薄膜中碳纳米管均沿同一方向排列;以及将上述碳纳米管薄膜粘附固定于上述支撑体形成偏光元件。由于碳纳米管具有高温的热稳定性,且对于各种波长的电磁波均有均一的吸收特性,故本发明的偏光元件对于各种波长的电磁波也有均一的偏振吸收性能,具有广泛的应有范围。 |
申请公布号 |
CN101276012B |
申请公布日期 |
2016.04.27 |
申请号 |
CN200710073765.8 |
申请日期 |
2007.03.30 |
申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
冯辰;姜开利;刘亮;张晓波;范守善 |
分类号 |
G02B5/30(2006.01)I |
主分类号 |
G02B5/30(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种偏光元件的制备方法,其包括以下步骤:提供一支撑体;提供至少一层碳纳米管薄膜,该碳纳米管薄膜中碳纳米管均沿同一方向排列,该碳纳米管薄膜为从一碳纳米管阵列中选定多个碳纳米管束,沿基本垂直于碳纳米管生长的方向拉伸该多个碳纳米管束,形成一连续的碳纳米管薄膜;以及将上述碳纳米管薄膜粘附固定于上述支撑体形成偏光元件,其特征在于,上述碳纳米管阵列的制备方法包括以下步骤:提供一平整基底;在基底表面均匀形成一催化剂层;将上述形成有催化剂层的基底在700~900℃的空气中退火30分钟~90分钟;以及将处理过的基底置于反应炉中,在保护气体环境下加热到500~740℃,然后通入碳源气反应5~30分钟,生长得到高度为200~400微米的碳纳米管阵列。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心310# |