发明名称 利用粗糙化的活性层和共形包层的高亮度LED
摘要 公开一种发光器件及其制作方法。该器件包括设置于第一层与第二层之间的活性层。第一层具有顶表面和底表面。顶表面包括第一传导性类型的第一材料,包括在基本上平坦的表面中的多个凹陷。活性层位于第一层的顶表面上面并且与顶表面共形,活性层在空穴和电子于其中复合时生成以波长为特征的光。第二层包括第二传导性类型的第二材料,第二层位于活性层上面并且与活性层共形。该器件可以构造于晶格常数与第一材料的晶格常数充分不同的衬底上以在第一层中产生用来形成凹陷的位错。
申请公布号 CN102473801B 申请公布日期 2016.04.27
申请号 CN201080035157.8 申请日期 2010.07.08
申请人 株式会社东芝 发明人 张翎;S·D·莱斯特;J·C·拉默
分类号 H01L33/22(2006.01)I 主分类号 H01L33/22(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 张伟;王英
主权项 一种器件,包括:衬底;第一层,形成于所述衬底上并包括第一传导性类型的第一材料,所述第一材料具有与所述衬底的晶格常数充分不同的晶格常数以在所述第一层中产生位错;形成于所述第一层上的包层构成的第二层,包括所述第一传导性类型的第二材料,所述第二层具有从所述第一层中的所述位错传播的位错,并且在顶表面中包括多个凹陷,每个所述凹陷具有最接近于所述衬底的底点,所述凹陷定位为使得每个所述凹陷的所述底点位于所述第二层中的不同的一个所述位错上;活性层,位于所述第二层的顶表面上面,所述活性层在空穴和电子在其中复合时生成以波长为特征的光;第三层,包括第二传导性类型的第三材料,所述第三层包括具有顶表面和底表面的包层,所述底表面位于所述活性层上面并且与所述活性层共形,所述顶表面具有向所述凹陷中延伸的下陷;以及导电材料层,所述导电材料层位于所述第三层的顶表面上面并且具有顶表面,所述导电材料层的顶表面与所述第三层的顶表面共形并且延伸到所述凹陷中,其中所述导电材料层对所述活性层中生成的所述光而言透明。
地址 日本东京