| 摘要 |
본 발명은 기판상에 막 스택을 형성하는 방법을 제공하며, 상기 방법은 기판 위에 실리콘 함유층을 형성하기 위해 실리콘 함유 가스 소크 프로세스(silicon containing gas soak process)를 수행하는 단계, 기판상에 텅스텐 실리사이드층을 형성하기 위해 실리콘 함유층을 반응시키는 단계, 기판상에 텅스텐 질화물층을 증착하는 단계, 원격 플라즈마로부터의 활성 질소 종들을 이용하여 상기 기판을 질화 처리시키는 단계, 및 텅스텐 질화물층 바로 위에 도전성 벌크층을 증착하는 단계를 포함한다. |
