| 发明名称 |
METHOD FOR PRODUCING METAL OXIDE FILM, METAL OXIDE FILM, THIN-FILM TRANSISTOR, DISPLAY DEVICE, IMAGE SENSOR, AND X-RAY SENSOR |
| 摘要 |
본 발명은, 금속 질산염을 포함하는 용액을 기판 상에 도포하고, 도포막을 건조시켜 금속 산화물 전구체막을 형성하는 공정과, 금속 산화물 전구체막에 대하여, 300nm 이하의 파장역에 조도가 10mW/cm이상인 피크 성분을 2개 이상 포함하는 자외선을 조사함으로써, 금속 산화물 전구체막을 금속 산화물막으로 전화하는 공정을 포함하는 금속 산화물막의 제조 방법 및 이로 인하여 제조된 금속 산화물막 그리고 그것을 구비한 디바이스를 제공한다. |
| 申请公布号 |
KR20160044576(A) |
申请公布日期 |
2016.04.25 |
| 申请号 |
KR20167007362 |
申请日期 |
2014.08.26 |
| 申请人 |
FUJIFILM CORPORATION |
发明人 |
TAKATA MASAHIRO;TANAKA ATSUSHI;SUZUKI MASAYUKI |
| 分类号 |
H01L21/02;C01B13/18;C01G15/00;G02F1/1368;H01L27/32;H01L29/786 |
主分类号 |
H01L21/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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