単結晶窒化アルミニウム基板を組み込む光電子デバイス

摘要

本発明は紫外線光を放出するよう適応された光電子デバイスを提供する。なおこの光電子デバイスは、基板の転位密度は約１０５個／ｃｍ２よりも小さく、且つ（００２）結晶面および（１０２）結晶面に対する２軸ロッキング曲線の半値全幅（ＦＷＨＭ）は約２００アークセカントよりも小さい、窒化アルミニウム単結晶基板と、窒化アルミニウム単結晶基板上に重なる紫外線発光ダイオード構造であって、ｎ型半導体層に電気的に接続された第１電極およびｐ型半導体層に電気的に接続された第２電極を含む、紫外線発光ダイオード構造と、を含む。特定的な実施形態では、本発明の光電子デバイスは、−１０Ｖにおいて約１０−５Ａ／ｃｍ２より小さい逆方向リーク電流、および／または２８Ａ／ｃｍ２の注入電流密度において少なくとも約５０００時間のＬ８０を示す。【選択図】図４