| 发明名称 |
ｎウェル切替回路 |
| 摘要 |
デュアルモードＰＭＯＳトランジスタが開示される。デュアルモードＰＭＯＳトランジスタは、デュアルモードＰＭＯＳトランジスタの切替型ｎウェルが高電圧にバイアスされる第１の動作モードを有する。デュアルモードＰＭＯＳトランジスタは、高電圧よりも低い低電圧に切替型ｎウェルがバイアスされる第２の動作モードを有する。デュアルモードＰＭＯＳトランジスタのサイズおよびゲート酸化物厚さはそれぞれ、高電圧への永続的な結合に対応できない大きさである。ｎウェル電圧切替回路が、デュアルモードＰＭＯＳトランジスタの比較的小さいサイズおよび薄いゲート酸化物厚さにもかかわらずデュアルモードＰＭＯＳトランジスタに対する電圧損傷を防止するために、切替型ｎウェルをバイアスする。 |
| 申请公布号 |
JP2016511933(A) |
申请公布日期 |
2016.04.21 |
| 申请号 |
JP20150552832 |
申请日期 |
2014.01.10 |
| 申请人 |
クゥアルコム・インコーポレイテッドＱＵＡＬＣＯＭＭ ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ |
发明人 |
タージオグル、イージン;ウビーグハラ、グレゴリー・アメリアダ;ユン、セイ・スン;ガニサン、バラチャンダー;コタ、アニル・チョーダリー |
| 分类号 |
H01L21/8234;G11C16/06;G11C17/14;H01L21/82;H01L21/822;H01L27/04;H01L27/088 |
主分类号 |
H01L21/8234 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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