VERFAHREN UND STRUKTUR FÜR FINFET-ISOLIERUNG

摘要

Ein Halbleiterbauelement mit effektiver FinFET-Isolierung und ein Verfahren zum Bilden davon werden offenbart. Das Verfahren umfasst das Aufnehmen eines Substrates, das eine aktive Finne aufweist, mehrerer Dummy-Gatestapel über dem Substrat, die in die Finne eingreifen, und erster dielektrischer Merkmale über dem Substrat und das Trennen der Dummy-Gatestapel. Das Verfahren umfasst weiter das Entfernen der Dummy-Gatestapel und dadurch das Bilden eines ersten Grabens und eines zweiten Grabens, die erste und zweite Abschnitte der aktiven Finne entsprechend freilegen. Das Verfahren umfasst weiter das Entfernen des ersten Abschnitts der aktiven Finne und das Bilden eines Gatestapels im zweiten Graben, wobei der Gatestapel in den zweiten Abschnitt der aktiven Finne eingreift. Das Verfahren umfasst weiter das Füllen des ersten Grabens mit einem zweiten Dielektrikum, das effektiv den zweiten Abschnitt der aktiven Finne isoliert.