磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）のためのスモールフォームファクタ磁気シールド

摘要

いくつかの実装形態は、いくつかの磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）セルを含むＭＲＡＭセルアレイを含むダイを提供する。ダイはまた、ＭＲＡＭセルアレイの上に配置された第１の強磁性層と、ＭＲＡＭセルアレイの下に配置された第２の強磁性層と、少なくとも１つのＭＲＡＭセルの周りに配置されたいくつかのビアとを含む。ビアは強磁性材料を含む。いくつかの実装形態では、第１の強磁性層、第２の強磁性層、およびいくつかのビアが、ＭＲＡＭセルアレイのための磁気シールドを画定する。ＭＲＡＭセルは、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）を含み得る。いくつかの実装形態では、いくつかのビアは、ダイの少なくとも金属層および誘電体層を横断する。いくつかの実装形態では、ビアは基板貫通ビアである。いくつかの実装形態では、強磁性材料は、高い透磁率および高い飽和磁束密度を有する。