| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种能够实现组装性的提高以及小型化的半导体装置。本发明所涉及的半导体装置(1)具有：IGBT，其形成在Si衬底(13)；温度传感二极管(2)，其形成在Si衬底(13)；IGBT的发射极电极焊盘(6)，其配设在Si衬底(13)之上；以及阴极－发射极连接用配线(19)，其配设在Si衬底(13)之上，将发射极电极焊盘(6)与温度传感二极管(2)的阴极电极焊盘(3)电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN105518865A | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201380079189.1 | 申请日期 | 2013.08.28 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 大佐贺毅;石原三纪夫;日山一明;川濑达也 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 何立波;张天舒 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其具有：开关元件，其形成在半导体衬底；温度传感二极管，其形成在所述半导体衬底；所述开关元件的主电流电极焊盘，其配设在所述半导体衬底之上；以及导电膜，其配设在所述半导体衬底之上，将所述主电流电极焊盘与所述温度传感二极管的一个电极电连接。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||