闪存存储器栅极结构及其制作方法

摘要

本发明公开一种闪存存储器栅极结构及其制作方法，其制作方法包含：首先提供一基底，再依序形成一第一绝缘层、一第一导电层和一第二绝缘层覆盖基底，然后在第一导电层和第二绝缘层内形成至少一第一沟槽，之后形成一第二导电层和一掩模层覆盖第二绝缘层，其中第二导电层填满第一沟槽，接续形成多个图案化掩模层，接着于各个图案化掩模层的两侧各形成一间隙壁，最后以图案化掩模层与间隙壁为掩模蚀刻第一导电层，直至第一绝缘层曝露出来，以形成一第一栅极结构和一第二栅极结构。

主权项

一种闪存存储器栅极结构的制作方法，包含：提供一基底，该基底包含一阵列区；依序形成一第一绝缘层、一第一导电层和一第二绝缘层，覆盖该基底的该阵列区；在该第一导电层和该第二绝缘层内形成至少一第一沟槽；在该阵列区依序形成一第二导电层和一掩模层并且覆盖该第二绝缘层，其中该第二导电层填满该第一沟槽；形成多个图案化掩模层；在各该图案化掩模层的两侧各形成一间隙壁；以及以图案化掩模层与该多个间隙壁为掩模蚀刻该第一导电层，直至该第一绝缘层曝露出来，以形成一第一栅极结构和一第二栅极结构，其中该第一栅极结构包含该第一沟槽，并且该第一栅极结构与第二栅极结构之间具有一间隙。