一种SiC涂层的制备方法

摘要

本发明涉及一种SiC涂层的制备方法；特别涉及一种通过CVI工艺和PIP工艺制备碳化硅涂层的方法。本发明将盛有聚甲基硅烷的石墨容器a置于石墨容器b中，然后将干燥、清洁的待涂工件置于石墨容器b中，抽真空、通入保护气体，然后再抽真空至石墨容器b中的气压小于等于100Pa后，关闭进气口，升温至700～1000℃、优选为700～800℃后，保温得到带有不定型碳化硅涂层的工件后，在真空气氛或保护气氛下于1500～1600℃进行烧结，得到带β碳化硅涂层的工件。本发明所得涂层质量好、制备周期短、制备工艺简单，便于产业化应用。

主权项

一种SiC涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一将盛有聚甲基硅烷的石墨容器a置于石墨容器b中，然后将干燥、清洁的待涂工件置于石墨容器b中，抽真空、通入保护气体，然后再抽真空至石墨容器b中的气压小于等于100Pa后，关闭进气口，升温至700～1000℃后，保温得到带有不定型碳化硅涂层的工件；所述带有不定型碳化硅涂层的工件中，不定型碳化硅涂层的厚度大于等于5微米；步骤二将步骤一所得带有不定型碳化硅涂层的工件；置于烧结炉中，在真空气氛或保护气氛下烧结，得到带β碳化硅涂层的工件；所述烧结的温度为1500～1600℃。