发明名称 |
一种MEMS湿度传感器的制造方法 |
摘要 |
本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域,公开了一种MEMS湿度传感器的制造方法,包括以下步骤:首先提供一具有绝缘层的衬底,在绝缘层内形成金属连接线、在绝缘层上表面形成金属叉指电极层、金属焊盘以及钝化层;接着对钝化层以及绝缘层进行图案化,并暴露出金属连接线以及金属焊盘的上表面;最后在金属叉指电极层之间以及钝化层上表面形成湿敏材料层,完成MEMS湿度传感器的制备。本发明在湿度传感器的制备过程中仅需要两张掩膜版即可完成湿度传感器的制备,相比现有的叉指电极型湿度传感器制造工艺,本发明无需额外增加传感器制造成本,制造工艺简单,降低了生产成本,且制备方法与传统的CMOS工艺完全兼容。 |
申请公布号 |
CN105502282A |
申请公布日期 |
2016.04.20 |
申请号 |
CN201510854729.X |
申请日期 |
2015.11.30 |
申请人 |
上海集成电路研发中心有限公司 |
发明人 |
左青云;康晓旭;李铭 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I;G01N27/22(2006.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
吴世华;尹英 |
主权项 |
一种MEMS湿度传感器的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S01,提供一具有绝缘层的衬底,在所述绝缘层内形成金属连接线,所述绝缘层的上表面形成金属叉指电极层以及金属焊盘,所述金属叉指电极层以及金属焊盘的上表面覆盖有钝化层;步骤S02,对所述钝化层以及绝缘层进行图案化,并暴露出所述金属连接线以及金属焊盘的上表面,且所述钝化层包覆所述金属叉指电极层的上表面以及侧壁;步骤S03,在所述金属叉指电极层之间以及钝化层上表面形成湿敏材料层,完成MEMS湿度传感器的制备。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区上海浦东张江高斯路497号 |