| 发明名称 | 非易失性存储元件、非易失性存储元件组及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了非易失性存储元件组、非易失性存储元件及其制造方法，所述非易失性存储元件组包括：(A)第一绝缘层；(B)第二绝缘层，其具有第一凹部以及与第一凹部连通的第二凹部，且第二凹部的宽度大于第一凹部的宽度，并且第二绝缘层布置于第一绝缘层上；(C)多个电极，它们布置于第一绝缘层中，并且多个电极的顶面从第一凹部的底面露出；(D)信息存储层，其形成于第一凹部和第二凹部的侧壁和底面上；以及(E)导电材料层，其填充在由第二凹部中的信息存储层围成的空间中。本发明可避免由于图形化而对信息存储层造成损伤。此外，可避免膜的剥落。还可简化制造工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN105514114A | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201610028977.3 | 申请日期 | 2011.10.08 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 角野润;本田元就 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 李晗;曹正建 |
| 主权项 | 一种非易失性存储元件组，其包括：(A)第一绝缘层；(B)第二绝缘层，其具有第一凹部以及与所述第一凹部连通的第二凹部，所述第二凹部的宽度大于所述第一凹部的宽度，并且所述第二绝缘层布置于所述第一绝缘层上；(C)多个电极，它们布置于所述第一绝缘层中，并且每个所述电极的顶面在所述第一凹部的底面处露出；(D)信息存储层，其形成于所述第一凹部和所述第二凹部的侧壁和底面上；以及(E)导电材料层，其填充在由所述第二凹部中的所述信息存储层围成的空间中。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||