| 发明名称 | 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。可提高形成于衬底上的膜的特性。本发明提供一种半导体器件的制造方法，其具有下述工序：将形成有具有硅氮键的膜、并对膜实施了前烘的衬底搬入处理容器的工序；以前烘的温度以下的第一温度向衬底供给含氧气体的工序；和以高于所述第一温度的第二温度向衬底供给处理气体的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN105518836A | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201480046974.1 | 申请日期 | 2014.09.29 |
| 申请人 | 株式会社日立国际电气 | 发明人 | 定田拓也;角田彻;奥野正久;立野秀人 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 杨宏军;李文屿 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，其具有下述工序：将衬底搬入处理容器内的工序，所述衬底形成有具有硅氮键的膜，并对所述膜实施了前烘；以所述前烘的温度以下的第一温度向所述衬底供给含氧气体的工序；和以高于所述第一温度的第二温度向所述衬底供给处理气体的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||