垂直型第III族氮化物半导体LED芯片及其制造方法

摘要

本发明提供用于更高效地制造减少了形成在发光结构中的裂纹的高品质垂直型第III族氮化物半导体LED芯片的方法。该垂直型第III族氮化物半导体LED芯片的制造方法包括：在生长基板上以生长基板与发光结构层叠体之间设置有剥离层的方式通过顺次地堆叠第一导电类型III族氮化物半导体层、发光层和第二导电类型III族氮化物半导体层形成发光结构层叠体的第一步骤，第二导电类型不同于第一导电类型；通过部分去除发光结构层叠体以使生长基板部分露出而形成多个独立的发光结构的第二步骤；形成具有下电极并一体支撑多个发光结构的导电性支撑体的第三步骤；通过用化学剥离工艺去除剥离层使生长基板从多个发光结构分离的第四步骤；和通过将发光结构之间的导电性支撑体进行分割而使均具有由导电性支撑体支撑的发光结构的多个LED芯片单片化的第五步骤。在第四步骤之前，在发光结构的区域中形成贯通的第一通孔使得至少剥离层露出。在第四步骤中经由第一通孔供给蚀刻剂。

主权项

一种垂直型第III族氮化物半导体LED芯片的制造方法，所述方法包括：第一步骤，在生长基板上以所述生长基板和发光结构层叠体之间设置有剥离层的方式、通过顺次地堆叠第一导电类型III族氮化物半导体层、发光层和第二导电类型III族氮化物半导体层而形成所述发光结构层叠体，所述第二导电类型不同于所述第一导电类型；第二步骤，通过部分地去除所述发光结构层叠体以使所述生长基板部分地露出而形成多个独立的发光结构；第三步骤，形成具有下电极的导电性支撑体，该导电性支撑体一体地支撑多个所述发光结构；第四步骤，通过利用化学剥离工艺去除所述剥离层而使所述生长基板从多个所述发光结构分离；和第五步骤，将所述发光结构之间的所述导电性支撑体进行分割，由此将均具有由所述导电性支撑体支撑的所述发光结构的多个LED芯片单片化，其中，在所述第四步骤之前，以在各所述发光结构的中央区域开口使得至少所述剥离层被露出的方式形成第一通孔，并且在所述第四步骤中，从所述第一通孔供给蚀刻剂。