ESD器件、ESD器件的制作方法及EEPROM

摘要

本申请公开了一种ESD器件、ESD器件的制作方法及EEPROM。其中，该ESD器件包括：半导体基体和设置于半导体基体中的阱；栅极结构，设置于阱的表面上；源极和漏极，源极设置于阱中并位于栅极结构的一侧，漏极设置于阱中并位于栅极结构的另一侧，且源极和漏极的导电类型与阱的导电类型相反；离子注入区，设置于漏极中，且离子注入区的导电类型与漏极的导电类型相反。该离子注入区能够降低漏极中掺杂浓度，使得漏极和半导体基体之间的载流子和中性原子发生碰撞电离的几率增大，从而减少了漏极和半导体基体之间发生雪崩击穿所需的反向电压，进而降低了ESD器件的开启电压。

主权项

一种ESD器件，其特征在于，所述ESD器件包括：半导体基体和设置于所述半导体基体中的阱；栅极结构，设置于所述阱的表面上；源极和漏极，所述源极设置于所述阱中并位于所述栅极结构的一侧，所述漏极设置于所述阱并位于所述栅极结构的另一侧，且所述源极和所述漏极的导电类型与所述阱的导电类型相反；离子注入区，设置于所述漏极中，且所述离子注入区的导电类型与所述漏极的导电类型相反。