一种高频高Q值的片式多层陶瓷电容器

摘要

一种高Q值的片式多层陶瓷电容器的制备方法，它包括瓷浆制备、制作介质膜片、交替叠印内电极和介质层、坯块干燥、层压、切割、排胶、烧结、倒角、封端、烧端工序，所述的交替叠印内电极和介质层工序中，内电极材料是镍Ni，所述的封端工序中，端电极材料是铜Cu，其特征在于：在瓷浆制备中，所用的瓷料是Mg-Si-O₃体系材料，K值为30±2，该体系瓷料的颗粒度球形体或似球形体，比表面积为4.5～11.0%；制作的片式多层陶瓷电容器具有优越的高Q电气性能，且可大大的降低生产成本。

主权项

一种高Q值的片式多层陶瓷电容器的制备方法，它包括瓷浆制备、制作介质膜片、交替叠印内电极和介质层、坯块干燥、层压、切割、排胶、烧结、倒角、封端、烧端工序，所述的交替叠印内电极和介质层工序中，内电极材料是铜，所述的封端工序中，端电极材料是铜Cu，其特征在于：在瓷浆制备中，所用的瓷料是Mg‑Si‑O₃体系材料，K值为30±2，该体系瓷料的颗粒度球形体，比表面积为4.5～11.0m²/g；所述排胶工艺是使用氮气排胶箱排胶450℃/17小时；所述烧结温度900℃～1030℃，在800℃开始至最高温段的升温速率控制在3‑5℃/min；烧结曲线由升温段、高温烧成段、降温段、回火段组成，升温段和高温烧成段是在含H₂的N₂气氛保护下进行的，H₂重量含量控制在气氛总量的0.05％；所述烧端最高温度是750～960℃；500℃以下是低温段，500℃到烧端最高温度为所述烧端工序的高温段，而且低温段中N₂气氛中的氧含量要高于高温段的N₂气氛中的氧含量，低温段N₂气氛中的氧含量为50‑400ppm，高温段N₂气氛中的氧含量为0‑50ppm。