发明名称 |
用于半导体封装的多层衬底 |
摘要 |
所公开的实施例包括用于半导体封装的多层衬底。衬底可以包括第一层,其具有第一侧面和第二侧面,所述第一侧面具有xy平面,并且所述第一侧面上的独立的位置具有在第一侧面xy平面之下的第一侧面距离,并且所述第二侧面具有第二侧面xy平面,并且所述第二侧面上的独立的位置可以具有在所述第二侧面xy平面之下的第二侧面距离;并且所述衬底包括第二层,其具有与所述第一层的所述第二侧面耦合的第一侧面以及与所述第二层的所述第一侧面相对的第二侧面,其中,所述第二层上的独立的位置处的所述第二层的厚度可以由所述第一侧面距离加上所述第二侧面距离组成。可以描述和/或要求其它实施例。 |
申请公布号 |
CN105518858A |
申请公布日期 |
2016.04.20 |
申请号 |
CN201480026806.6 |
申请日期 |
2014.12.22 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
任纬伦;P·贾殷;D·塞纳维拉特纳;C-M·陈 |
分类号 |
H01L23/498(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/498(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
陈松涛;王英 |
主权项 |
一种用于半导体封装的多层衬底,包括:第一层,其具有第一侧面和与所述第一侧面相对的第二侧面,其中,所述第一侧面具有由所述第一侧面上的三个最高点所定义的第一侧面xy平面,并且所述第一侧面上的独立的位置具有在所述第一侧面xy平面之下的朝向所述第二侧面的方向上的第一侧面距离,其中,所述第二侧面具有由所述第二侧面上的三个最高点所定义的第二侧面xy平面,并且所述第二侧面上的独立的位置具有在所述第二侧面xy平面之下的朝向所述第一侧面的方向上的第二侧面距离;以及第二层,其具有与所述第一层的所述第二侧面耦合的第一侧面以及与所述第二层的所述第一侧面相对的第二侧面,其中,所述第二层上的独立的位置处的所述第二层的厚度由所述第一侧面距离加上所述第二侧面距离组成,其中,所述第一层的所述第一侧面和所述第二层的所述第二侧面之间的独立的位置处的所述第一层的厚度加上所述第二层的所述厚度是大体上均匀的厚度。 |
地址 |
美国加利福尼亚 |