大尺寸发光器件及其制造方法

摘要

一种大尺寸发光器件及其制造方法。一种III族氮化物发光器件，其衬底上具有由导电线构成的导电网格，激活层夹在N型层和P型层之间构成LED结构，导电网格与N型层之间形成欧姆接触，及一种制造该器件的方法。

主权项

一种III族氮化物发光器件，包含：衬底；在该衬底上形成的由导电线构成的均匀分布的导电网格，其中所述导电网格是由氮化钪(ScN)、氮化钇(YN)、氮化钛(TiN)、氮化锆(ZrN)、氮化铪(HfN)、氮化钒(VN)、氮化铌(NbN)、氮化钽(TaN)、氮化铬(CrN)、氮化钼(MoN)或氮化钨(WN)构成，并且该导电网格的导电线之间距离在10‑150微米之间，导电线厚度在0.5‑2微米之间，且导电线的宽度在5‑15微米之间；其中，所述导电网格位于所述衬底的沟壑的侧壁上；在所述衬底和导电网格上形成的N型层，其中该N型层与导电网格是欧姆接触；P型层；以及夹在所述N型层和P型层之间的激活层。