发明名称 |
一种正交相二维层状SiP<sub>2</sub>单晶薄膜及其制备方法和应用 |
摘要 |
一种正交相二维层状SiP<sub>2</sub>单晶薄膜及其制备方法和应用,该SiP<sub>2</sub>单晶薄膜,空间群Pnma,晶胞参数为:a=10.0908(19),<img file="DDA0000875076500000011.GIF" wi="730" he="67" />Z=8;其制备方法包括以下步骤:(1)将按比例称取的Si、P、Sn和Gd装入石英管中,抽真空后烧结封管;(2)将石英管升温至800~900℃,恒温46小时~50小时;最后自然冷至室温;(3)取出料块,置于盐酸中溶解除去Sn,用去离子水清洗干净,得到黑色针状SiP<sub>2</sub>晶体;(4)将SiP<sub>2</sub>晶体浸没于NaOH溶液中超声处理,采用去离子水清洗后得到正交相二维层状SiP<sub>2</sub>单晶薄膜;该方法首次合成了正交相二维层状SiP<sub>2</sub>单晶薄膜,可以做为饱和吸收体对激光产生调制及用于超短脉冲激光器的被动锁模的核心部件。 |
申请公布号 |
CN105506742A |
申请公布日期 |
2016.04.20 |
申请号 |
CN201510925773.5 |
申请日期 |
2015.12.11 |
申请人 |
山东大学 |
发明人 |
王善朋;陶绪堂;张翔;李春龙 |
分类号 |
C30B29/46(2006.01)I;C30B29/64(2006.01)I;C30B9/10(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/46(2006.01)I |
代理机构 |
济南金迪知识产权代理有限公司 37219 |
代理人 |
王绪银 |
主权项 |
一种正交相二维层状SiP<sub>2</sub>单晶薄膜,属于正交晶系,其特征是:空间群Pnma,晶胞参数为:a=10.0908(19),<img file="FDA0000875076470000011.GIF" wi="726" he="71" />Z=8。 |
地址 |
250199 山东省济南市历城区山大南路27号 |