| 发明名称 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件包括半导体衬底、位于所述半导体衬底上的层间介电层和位于所述层间介电层上的电容，还包括位于所述半导体衬底内且位于所述电容下方的由P型离子注入区和N阱构成的PN结二极管，其中所述N阱位于所述P型离子注入区的下方并包围所述P型离子注入区位于所述半导体衬底内的部分。本发明的半导体器件由于包括设置于电容下方的PN结二极管，因此可以防止来自半导体衬底的噪声进入电容，提高半导体器件的抗噪声能力。本发明的制造方法用于制造上述半导体器件，制得的半导体器件同样具有上述优点。本发明的电子装置包括上述半导体器件，因而同样具有上述优点。 | ||
| 申请公布号 | CN105514091A | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201410486996.1 | 申请日期 | 2014.09.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 殷登平 |
| 分类号 | H01L23/64(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/64(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;赵礼杰 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，包括半导体衬底、位于所述半导体衬底上的层间介电层和位于所述层间介电层上的电容，还包括位于所述半导体衬底内且位于所述电容下方的由P型离子注入区和N阱构成的PN结二极管，其中所述N阱位于所述P型离子注入区的下方并包围所述P型离子注入区位于所述半导体衬底内的部分。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||