具有硅通孔内连线的半导体封装及其封装方法

摘要

本发明提供一种具有硅通孔内连线的半导体封装及其封装方法。上述具有硅通孔内连线的半导体封装包括半导体基板；通孔，穿过上述半导体基板；硅通孔内连线，设置于上述通孔内；导电层，设置于衬垫于上述通孔的侧壁，且围绕上述硅通孔内连线。本发明所提供的具有硅通孔内连线的半导体封装及相关形成方法，能够将从半导体基板或硅通孔内连线耦合的噪音快速地传递至接地埠，从而减少噪音耦合效应。

主权项

一种具有硅通孔内连线的半导体封装，包括：半导体基板；通孔，穿过所述半导体基板；硅通孔内连线，设置于所述通孔内；导电层，设置于衬垫于所述通孔的侧壁，且围绕所述硅通孔内连线；保护环掺杂区，设置于所述半导体基板中，围绕所述通孔的所述侧壁，其中所述保护环掺杂区耦接至接地埠；阱区，设置于所述半导体基板中，其中所述保护环掺杂区的边界形成于所述阱区内；以及隔绝区，设置于所述阱区上，且介于所述通孔的所述侧壁和所述保护环掺杂区之间。