发明名称 一种获取平面型器件的接触电阻的方法
摘要 一种获取平面型器件的接触电阻的方法,包括:运用电位测量方法获取平面型器件接触电阻;在该表面电位分布测量中,平面型器件处于电流流通状态,器件的结区形成一定的电压降,采用线性拟合的方法提取开尔文显微镜测得的电压降,并采用电压降除以流经器件电流,从而可精确地计算出平面型器件结区处的接触电阻大小。利用本发明,可以精确测量平面型器件的接触电阻,适于薄膜晶体管和二极管等器件的接触电阻测量实验。本发明理论合理,结果精确,简单易行,有利于优化器件性能、建立完整的器件电学模型。
申请公布号 CN105510717A 申请公布日期 2016.04.20
申请号 CN201510993661.3 申请日期 2015.12.25
申请人 中国科学院微电子研究所 发明人 徐光伟;韩志恒;王伟;陆丛研;汪令飞;李泠;刘明
分类号 G01R27/08(2006.01)I 主分类号 G01R27/08(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 宋焰琴
主权项 一种获取平面型器件的接触电阻的方法,其特征在于,包括以下步骤:制作平面型器件;对该平面型器件经行表面电位分布进行测量,该平面型器件处于电流流通状态,器件结区形成一定的电压降,采用测量的该电压降除以流经器件电流,从而精确计算出该平面型器件结区处接触电阻的大小。
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
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