发明名称 | 用于堆叠存储器架构的自修复逻辑 | ||
摘要 | 本文描述了用于堆叠存储器架构的自修复逻辑。存储装置的一个实施例包括存储器堆叠和与存储器堆叠耦合的系统元件,存储器堆叠具有包括第一存储器管芯元件的一个或多个存储器管芯元件。第一存储器管芯元件包括多个硅通孔(TSV)和自修复逻辑,TSV包括数据TSV和一个或多个备用TSV,自修复逻辑用于修复多个数据TSV的有缺陷TSV的操作,对有缺陷TSV的操作的修复包括利用一个或多个备用TSV。 | ||
申请公布号 | CN105513647A | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
申请号 | CN201610026970.8 | 申请日期 | 2011.12.23 |
申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | J-S.杨;D.科布拉;L.居;D.齐默曼 |
分类号 | G11C29/44(2006.01)I | 主分类号 | G11C29/44(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 徐予红;付曼 |
主权项 | 一种设备,包括:堆栈,所述堆栈包括多个存储器管芯,所述多个存储器管芯包括第一存储器管芯;其中,所述第一存储器管芯包括:多个互连,所述多个互连包括多个数据互连以及一个或多个冗余互连,以及修复逻辑,用于将所述多个数据互连的有缺陷互连的操作映射至所述一个或多个冗余互连,所述修复逻辑用于:检测所述有缺陷互连,将计划用于所述有缺陷互连的数据映射至第一冗余互连,以及把将在所述第一冗余互连上接收的数据映射至用于所述有缺陷互连的连接。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |