NLDMOS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种NLDMOS器件，包括：在漂移区上方形成有一个场氧，漂移区场氧的第二侧和漏区横向接触；漂移区场氧的第一侧位于多晶硅栅的底部且和P阱相隔一段距离；漂移区场氧第一侧的顶部区域的部分场氧被去除、且场氧被去除区域填充有替代介质层，替代介质层具有对离子注入的阻挡能力大于场氧的性质或者具有相对介电常数大于场氧的性质；对离子注入的阻挡能力较大的性质能使位于漂移区场氧的第一侧底部的漂移区的掺杂浓度降低，而利用具有较大相对介电常数的性质，能使位于漂移区场氧的第一侧底部的电场强度降低，二者都能分别提高的击穿电压。本发明还公开了NLDMOS器件的制造方法。

主权项

一种NLDMOS器件，其特征在于，包括：N型掺杂的漂移区，形成于P型半导体衬底中；P阱，形成于所述P型半导体衬底中，所述P阱和所述漂移区侧面接触或相隔一定距离；形成于所述半导体衬底上方的多晶硅栅，所述多晶硅栅和所述半导体衬底表面隔离有栅介质层，在横向上所述多晶硅栅从所述P阱延伸到所述漂移区上方，被所述多晶硅栅覆盖的所述P阱用于形成沟道；所述多晶硅栅的第一侧面位于所述P阱上方、第二侧面位于所述漂移区上方；由N+区组成的源区和漏区，所述源区形成于所述P阱中并和所述多晶硅栅的第一侧面自对准，所述漏区形成于所述漂移区中；由P+区组成的衬底引出区，所述衬底引出区形成于所述P阱中并用于将所述P阱引出；在所述P阱和所述漏区之间的所述漂移区上方形成有一个场氧，令该场氧为漂移区场氧，所述漂移区场氧的第二侧和所述漏区横向接触；所述多晶硅栅延伸到所述漂移区场氧上方，所述漂移区场氧的第一侧位于所述多晶硅栅的底部且所述漂移区场氧的第一侧和所述P阱相隔一段距离；所述漂移区场氧第一侧的顶部区域的部分场氧被去除、且场氧被去除区域填充有替代介质层，所述替代介质层具有对离子注入的阻挡能力大于所述场氧的性质或者具有相对介电常数大于所述场氧的性质；利用具有对离子注入的阻挡能力大于所述场氧的性质，所述替代介质层使位于所述漂移区场氧的第一侧底部的所述漂移区的掺杂浓度降低，从而提高NLDMOS器件的击穿电压；利用具有相对介电常数大于所述场氧的性质，所述替代介质层使位于所述漂移区场氧的第一侧底部的所述漂移区内的电场强度降低、增加漂移区电场强度的分布均匀性，从而提高所述NLDMOS器件的击穿电压。