| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 首先，在碳化硅基板(1)的表面形成包括过渡金属的接触电极(2)。接触电极(2)包括例如镍、钛或钨。通过将形成了接触电极(2)的整个碳化硅基板(1)暴露在利用微波形成的氢等离子体气氛中，从而使接触电极(2)发热而进行快速加热。然后，通过从接触电极(2)向碳化硅基板(1)的在接触电极(2)侧的部分进行热传导，将碳化硅基板(1)的与接触电极(2)接触的部分加热。由此，在碳化硅基板(1)与接触电极(2)的界面形成成为与碳化硅基板(1)的欧姆接触的硅化物层(4)。由此，能够形成接触电阻低的欧姆接触，并且能够防止元件特性劣化。 | ||
| 申请公布号 | CN105518830A | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201580001825.8 | 申请日期 | 2015.04.17 |
| 申请人 | 富士电机株式会社 | 发明人 | 中泽治雄;荻野正明;中嵨经宏;井口研一;立岡正明;中川清和 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 王颖;金玉兰 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：第一形成工序，在半导体基板的表面形成过渡金属层；以及等离子体处理工序，通过将形成有所述过渡金属层的状态的所述半导体基板暴露在利用微波形成的氢等离子体气氛中，从而使所述过渡金属层发热，在所述等离子体处理工序中，通过来自所述过渡金属层的热传导对所述半导体基板的与所述过渡金属层接触的部分进行加热，在所述过渡金属层与所述半导体基板的界面形成所述过渡金属层与所述半导体基板反应而成的欧姆接触。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||