| 发明名称 |
产生掺杂子结构用以减少微电子电晶体中的泄漏的装置及方法 |
| 摘要 |
体装置具有在主动通道和基板之间的掺杂缓冲或子结构。于一实施例，例如镁、锌、碳、铍和类似者的p型掺杂物可以引进以形成子结构，其中掺杂物可以作用为在主动通道对源极和汲极介面的p/n接面，并且减少关闭状态的泄漏路径。于另一实施例，用于形成掺杂子结构的材料可以大致相同于用来形成主动通道的材料而无掺杂物，以致将不形成或可导致结晶不完美的异质接面。
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| 申请公布号 |
TW201614835 |
申请公布日期 |
2016.04.16 |
| 申请号 |
TW104126398 |
申请日期 |
2015.08.13 |
| 申请人 |
英特尔股份有限公司 |
发明人 |
莫哈帕拉 钱德拉;莫希 安拿;葛雷斯 葛兰;甘尼 塔何;瑞奇曼第 威利;狄威 吉伯特;梅兹 马修;卡瓦莱罗斯 杰克 |
| 分类号 |
H01L29/66(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L29/20(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/66(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
一种微电子结构，其包括：基板；低能带间隙主动通道；以及子结构，其配置在该基板和该低能带间隙主动通道之间，其中该子结构邻接该低能带间隙主动通道，并且其中该子结构包括掺杂物。
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| 地址 |
美国 |
