ＧａＯ系单晶基板

摘要

明的问题在于提供一种Ga2O3系单晶基板，
其可实现高加工良率。

主权项

一种Ga2O3系单晶基板，其将[010]轴作为旋转轴，当将自(100)面经由(101)面到达(001)面的旋转方向定义为正时，将自(100)面旋转10°~150°后之面设为主面，并且裂纹密度未满0.05条/公分。