发明名称 稳定蒸镀均匀性薄膜之方法及其装置
摘要 稳定蒸镀均匀性薄膜之方法及其装置,系针对真空环境之基材进行蒸镀薄膜制程,藉维持蒸镀速率提升薄膜均匀度,其系将至少一蒸镀材置于至少一蒸镀容器中,并透过加热器加热且于蒸镀容器壁上盖设有一盖板,当蒸镀材加热至蒸发状态并于蒸镀容器内达到第一蒸气饱和压力,蒸镀材蒸气即往一稳压室流动,并于稳压室达到小于第一蒸气饱和压力之第二蒸气饱和压力,真空环境具有真空背景压力,且真空背景压力小于第二蒸气饱和压力,使蒸镀材蒸气藉压力差等速率由稳压室朝向真空环境流动以对该基材进行蒸镀,本发明系利用固定压差使蒸镀速率固定以提升成形薄膜之均匀度,并免除随时间产生之蒸镀镀率变异情形。
申请公布号 TW201614085 申请公布日期 2016.04.16
申请号 TW103134501 申请日期 2014.10.03
申请人 国家中山科学研究院 发明人 梁仕昌;黄伟杰;魏肇男;倪国裕;薄慧云
分类号 C23C14/24(2006.01) 主分类号 C23C14/24(2006.01)
代理机构 代理人 黄信嘉;谢炜勇
主权项 一种稳定蒸镀均匀性薄膜之方法,系针对位于一真空系统环境之一基材进行薄膜蒸镀,藉维持蒸镀速率以提升成形之薄膜均匀度,该方法包括下列步骤:将至少一蒸镀材置于至少一蒸镀容器中,并透过至少一加热器对其进行加热,且于该蒸镀容器壁上盖设有一盖板;当该蒸镀材加热至蒸发状态时,藉该盖板控制蒸发量使该蒸镀容器内具有一第一蒸气饱和压力;该蒸镀材之蒸气此时系往一稳压室流动,且使该稳压室中具有一第二蒸气饱和压力,其中该第二蒸气饱和压力系小于该第一蒸气饱和压力使该蒸镀材之蒸气持续流入该稳压室内;及该真空系统环境系具有一真空背景压力,且该真空背景压力小于该第二蒸气饱和压力,该蒸镀材之蒸气系藉该第二蒸气饱和压力及该真空背景压力之压力差而自该稳压室往该真空系统环境流动并对该基材等速率进行蒸镀。
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